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基于TCAD的90nm STI应力仿真与研究(英文)
研究了90nm CMOS工艺下浅槽隔离技术产生的x轴应力对NMOSFET电学性能的影响。用新一代集成工艺仿真软件Sentaurus TCAD对不同有源......
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TCAD
nm STI
阈值电压
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STI机械应力
电子迁移率
NMOSFET
x轴应力
隔离技术
注入浓度
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